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型号：10P<b class='flag-s-7'>6F6</b>-VB TO252 品牌：微碧

### 一、10P6F6-VB 产品简介10P6F6-VB 是由 VBsemi 生产的单 P-沟道 MOSFET，封装类型为 TO252。采用槽沟技术设计，具有较低的导通电阻和较高的耐压，适用于需要

2024-07-05 13:40 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>6R070C6</b>-VB 品牌：微碧

### 一、6R070C6-VB产品简介**6R070C6-VB**是一款高性能的单N沟道功率MOSFET，采用了TO247封装。该器件具有高电压耐受能力和低导通电阻，

2024-11-18 16:41 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：29DTS8205-VB 品牌：微碧

保护和功率转换等领域。### 2. 参数说明：- **器件类型**：双N沟道加双P沟道MOSFET- **封装**：SOT23-6- **最大漏极-源极电压（VDS

2024-07-11 14:21 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：80N<b class='flag-s-7'>6F6</b>-VB 品牌：微碧

### 一、80N6F6-VB 产品简介80N6F6-VB 是一款由 VBsemi 公司生产的单 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装。它具有高电流承载能力和

2024-11-21 15:37 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：80N<b class='flag-s-7'>6F6</b>-VB TO220 品牌：微碧

### 一、80N6F6-VB TO220 产品简介80N6F6-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术制造，封装形式为TO220。具有60V的耐压能力

2024-11-21 15:36 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>6R380E6</b>-VB 品牌：微碧

### 6R380E6-VB MOSFET 产品简介6R380E6-VB是一款单N沟道功率MOSFET，采用TO220F封装。它具有650V的漏源电压和20A的漏电流能力，适合中等功率应用场合。采用

2024-11-19 10:08 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>6R190E6</b>-VB TO247 品牌：微碧

### 1. 产品简介**6R190E6-VB TO247 MOSFET**6R190E6-VB TO247是一款单通道N沟道MOSFET，设计用于高压应用。它采用了SJ_Multi-EPI技术

2024-11-18 17:22 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>6R160C6</b>-VB TO220F 品牌：微碧

### 1. 产品简介VBsemi 6R160C6-VB 是一款单N沟道场效应管，采用了SJ_Multi-EPI技术，专为高性能应用设计。具有高达650V的漏极-源极电压（VDS），适合需要高电流

2024-11-18 17:01 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：260N<b class='flag-s-7'>6F6</b>-VB TO220 品牌：微碧

### 260N6F6-VB 产品简介260N6F6-VB 是一款单 N-沟道 MOSFET，采用 Trench 技术，封装形式为 TO220。具有较低的导通电阻和高漏极电流承载能力，适用于需要

2024-07-10 17:32 微碧半导体VBsemi 企业号