Mini Circuits 的 T3-1T+ 是一款巴伦，频率为 0.05 至 250 MHz，插入损耗为 0.43 至 2.16 dB，电流为 30 mA，功率为 0.25 W，回波损耗为 5 至
2023-08-24 15:43 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
; 部分编号T3-1T-X65+制造商微型电路描述RF变压器,插入式,配置A,不平衡到平衡的中心点,0.01-350兆赫一般参数配置
2023-08-21 14:03 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### 产品简介3N60ZG-TF3-T-VB 是一款高压单N沟道MOSFET，采用TO220F封装，适用于高压应用场合。它具有较高的击穿电压和可靠性，适用于要求高效能和高稳定性的电源和开关电路
2024-11-07 16:22 微碧半导体VBsemi 企业号
; 产品细节部分编号T3-1+制造商微型电路描述射频变压器,表面安装,配置。不平衡到不平衡。050-2500兆赫一般参数配置转换器类型不平衡到
2023-08-22 16:11 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### 产品简介3N80L-TM3-T-VB 是一款由VBsemi公司生产的单N沟道MOSFET，采用TO251封装。该器件具有800V的漏源电压（VDS）和±30V的栅源电压（VGS），适用于要求
2024-11-07 16:43 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介3N65ZG-TF3-T-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO220F封装。该器件具有650V的漏源电压（VDS）和±30V的栅源电压（VGS），适用于要求高电压的功率管
2024-11-07 16:30 微碧半导体VBsemi 企业号
Mini Circuits 的 T3-1T-KK81+ 是一款巴伦，频率为 0.05 至 250 MHz，插入损耗为 0.43 至 2.16 dB，电流为 30 mA，功率为 0.25
2023-08-24 15:17 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### 产品简介3N65L-TF3-T-VB 是一款由VBsemi公司生产的单N沟道MOSFET，采用TO220F封装。该器件具有650V的漏源电压（VDS）和±30V的栅源电压（VGS），适用于
2024-11-07 16:28 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介**产品型号：3N60L-TF3-T-VB**3N60L-TF3-T-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用TO-220F封装。具有650V的漏源电
2024-11-07 16:21 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介**型号：20N60L-T3P-T-VB**VBsemi的20N60L-T3P-T-VB是一款高性能单N沟道MOSFET，采用了SJ_Multi-E
2024-07-09 16:00 微碧半导体VBsemi 企业号
