{"error":{"root_cause":[{"type":"query_shard_exception","reason":"failed to create query: {\n \"regexp\" : {\n \"keyword\" : {\n \"value\" : \".*[]FET-430.*\",\n \"flags_value\" : 65535,\n \"max_determinized_states\" : 10000,\n \"boost\" : 1.0\n }\n }\n}","index_uuid":"SON-ziQURzKK3JljPlVlCQ","index":"recommend_keyword_search_v1"}],"type":"search_phase_execution_exception","reason":"all shards failed","phase":"query","grouped":true,"failed_shards":[{"shard":0,"index":"recommend_keyword_search_v1","node":"c8Ry91qkQA6igO07LZRl5w","reason":{"type":"query_shard_exception","reason":"failed to create query: {\n \"regexp\" : {\n \"keyword\" : {\n \"value\" : \".*[]FET-430.*\",\n \"flags_value\" : 65535,\n \"max_determinized_states\" : 10000,\n \"boost\" : 1.0\n }\n }\n}","index_uuid":"SON-ziQURzKK3JljPlVlCQ","index":"recommend_keyword_search_v1","caused_by":{"type":"illegal_argument_exception","reason":"invalid range: from (84) cannot be > to (52)"}}}]},"status":400}
FET开关和PIN开关是两种不同类型的电子开关,它们在电子电路中有着广泛的应用。这两种开关各有其特点和优势,适用于不同的应用场景。 1. 工作原理 FET开关(场效应晶体管开关) FET(Field
2024-10-09 15:51
MSP430F5529是最新一代的具有集成USB的超低功耗单片机,可以应用于能量收集、无线传感以及自动抄表等场合,是最低工作功耗的单片机之一。MSP430F5529开发板
2017-10-23 16:07
晶体管和FET给人的印象是具有信号放大的功能,即当输入信号通过晶体管或者FET后,输出信号被直接放大。
2023-10-21 10:23
MSP430F5529是最新一代的具有集成USB的超低功耗单片机,可以应用于能量收集、无线传感以及自动抄表等场合,是最低工作功耗的单片机之一。MSP430F5529开发板
2017-10-23 16:38
宽带隙半导体是高效功率转换的助力。有多种器件可供人们选用,包括混合了硅和SiC技术的SiC FET。本文探讨了这种器件的特征,并将它与其他方法进行了对比。
2022-10-31 09:03
高频开关等宽带隙半导体是实现更高功率转换效率的助力。SiC FET就是一个例子,它由一个SiC JFET和一个硅MOSFET以共源共栅方式构成。
2022-11-11 09:13
对于 48V 电源系统中的 GaN FET 应用,现有的一种方法是使用基于 DSP 的数字解决方案来实现高频和高效率设计。这在很大程度上是由于缺乏设计用于GaN FET的合适控制器的可用性。DSP
2022-08-04 09:58
FET T1 和 T2 是 BF245 N 沟道 FET 的型号。它可以用 NTE133 或 ECG312 代替。BA121变容二极管可以更换为ECG/NTE611。USW 代表“超短波”。
2022-06-13 15:25
从人类的角度来看,几代人过得很慢,在人们的记忆中,从“婴儿潮一代”到X到千禧一代(Y?)和Z,现在奇怪的是“A”。我想他们只是用完了字母。然而,在半导体领域,代际发展更快,自 4 年 750 月推出 2020V SiC FET 以来,SiC FET 现已达到第 &
2023-02-17 09:20
最近在搞430的FLASH的自定义法(利用串口)程序烧写,烧写完成后断电复位,reset按键就可以运行新的程序。但是和学长交流了一下,这种方法不够好,希望有一种软复位的方式。
2018-05-20 10:04